闪存和内存哪个难度大?

闪存和内存的制造难度各有不同，闪存涉及多层堆叠和精细蚀刻工艺，内存则依赖高纯度硅和精密电路设计。两者都需要顶尖技术，但闪存在纳米级控制上挑战更大。

对比

闪存：制造闪存需要堆叠几十层存储单元，每层之间的误差控制在几纳米内。蚀刻工艺必须完美，否则数据会出错。高密度存储要求材料纯度达到99.9999%，生产环境要无尘，成本是内存的2倍以上。

内存：内存主要挑战在于超高频电路设计，信号传输不能有延迟。硅片纯度要求极高，杂质要控制在百万分之一以下。内存测试环节更复杂，每块芯片要经过上万次稳定性测试，合格率比闪存低15%。