时间:01-17人气:19作者:风追烟花雨
正向压降是衡量二极管导通时电压损耗的重要参数。硅二极管的正向压降通常在0.5到0.7伏之间,肖特基二极管则更低,约0.2到0.4伏。发光二极管的压降较高,红光约1.8到2.2伏,蓝光可达3伏左右。选择二极管时需考虑电路电压和功耗需求,确保压降不会影响整体性能。
正向压降的影响因素
温度变化会影响正向压降,温度每升高1度,压降下降约2毫伏。电流大小也会改变压降,电流增大时压降略有上升。不同材料制成的二极管压降差异明显,锗二极管约0.2到0.3伏,碳化硅二极管可达3伏以上。实际应用中需结合具体型号和测试条件确定压降值。
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