半导体扩散工艺是什么?

半导体扩散工艺是将掺杂原子高温注入硅片的技术。工艺在高温炉中进行，温度超过1000摄氏度。磷、硼等原子通过气体形式进入硅片内部。扩散时间从几十分钟到几小时不等，取决于掺杂浓度要求。工艺完成后，硅片形成P型或N型区域，为后续电路制造奠定基础。

扩散工艺的关键步骤

扩散工艺分为预沉积和再分布两个阶段。预沉积阶段掺杂原子快速进入硅片表面，再分布阶段高温使原子向内部深入扩散。工艺需要精确控制温度和时间，确保掺杂均匀性。硅片在扩散前后需经过严格清洗，避免杂质影响。工艺完成后，检测设备会测量掺杂浓度和深度是否符合设计标准。