势垒电容和扩散电容如何区别?

势垒电容和扩散电容都是半导体器件中的电容效应，但产生机制不同。势垒电容由耗尽层宽度变化引起，类似平行板电容；扩散电容由载流子浓度变化引起，与正向偏置下的载流子存储有关。前者在反偏时显著，后者在正偏时主导。

区别

势垒电容：由PN结耗尽层的空间电荷区形成，类似两个平行板之间的电容。当外加电压变化时，耗尽层宽度随之改变，导致电容变化。其大小与结面积成正比，与耗尽层宽度成反比。反偏电压增大时，电容减小；正偏时影响较小。数值一般在皮法级别，适用于高频电路分析。

扩散电容：由载流子在扩散区的积累和释放引起，仅在PN结正偏时显著。当正向电压变化时，载流子浓度变化导致电荷存储量改变，形成电容效应。其大小与正向电流成正比，与温度和载流子寿命有关。数值较大，可达纳法级别，影响低频电路的动态响应。