cmos动态功耗和什么有关?

CMOS动态功耗主要与电路的开关活动频率、工作电压和负载电容有关。开关频率越高，功耗越大；电压升高，功耗呈平方增长；电容增大，功耗线性增加。

区别

开关频率：指电路每秒状态变化的次数。频率越高，晶体管充放电次数越多，功耗越大。比如手机处理器运行大型游戏时，频率从1GHz提升到3GHz，功耗可能增加2倍。

工作电压：电路运行时的供电电压。电压升高，电流增大，功耗急剧上升。电压从1V降到0.8V，功耗可减少约36%。低电压设计是降低功耗的关键手段。