igbt和普通可控硅有什么区别呢?

IGBT和普通可控硅都是电力控制器件，但工作方式和应用场景不同。IGBT结合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降，适合高频开关；普通可控硅只能控制导通，不能通过门极关断，多用于低频大电流场景。

区别

IGBT：绝缘栅双极型晶体管，属于全控型器件，门极可控制开通和关断。开关速度快，工作频率可达几千赫兹，导通压降低，适合电机驱动、逆变器等高频场合。体积小，效率高，但抗过流能力较弱，需要保护电路。

普通可控硅：晶闸管，属于半控型器件，门极只能控制开通，关断需依赖外部条件。工作频率低，几十赫兹，耐压高，电流大，适合调压、整流等低频场景。结构简单，成本低，但开关速度慢，功耗大。