三星可以制造几纳米芯片?

三星目前量产的最先进芯片是3纳米工艺，采用GAA晶体管技术。2纳米芯片正在研发中，预计2025年量产。1纳米及以下芯片还在实验室阶段，技术难度极高。三星的芯片厂主要位于韩国和美国，投资超过千亿美元。台积电和英特尔也在竞争更小制程，三星力争保持领先地位。

三星的技术挑战

3纳米芯片良品率不足80%，2纳米面临材料散热难题。光刻机精度要求达到原子级别，误差不能超过1纳米。芯片制程越小，生产成本越高，一条产线造价超过200亿美元。三星需要解决量子隧穿效应，否则电流会失控泄漏。未来芯片可能突破物理极限，采用碳纳米管等新材料。