pn结反向击穿需要多少电压?

pn结反向击穿电压一般在几十伏到几千伏之间，具体数值取决于材料、掺杂浓度和结构。硅二极管的典型击穿电压约50到1000伏，高压器件可达上万伏。温度升高时击穿电压会下降，温度每升高10度，电压降低约2伏。实际应用中需留出安全余量，避免器件损坏。

击穿类型与影响

pn结击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿两种。齐纳击穿发生在低电压（5伏以下），强电场直接破坏共价键；雪崩击穿发生在高电压，载流子碰撞产生连锁反应。反向电流突然增大时，若限流不当会导致器件过热烧毁。稳压管正是利用齐纳击穿特性来稳定电压的。