硅的本征载流子浓度是多少?

硅的本征载流子浓度在室温下大约是每立方厘米10的10次方个。这个数值会随温度升高而快速增加，比如在100摄氏度时能达到每立方厘米10的14次方个。纯净的硅晶体中，电子和空穴数量相等，共同决定导电能力。半导体器件设计时必须考虑这个参数，因为它直接影响材料的基础电学性能。

硅的载流子特性

硅的载流子浓度受杂质影响极大。掺入磷元素后，电子数量可增至每立方厘米10的16次方个；掺入硼元素则增加空穴浓度。光照也能激发载流子，使浓度暂时上升。实际应用中，通过精确控制掺杂量，工程师可以调节硅的导电类型和强度，满足不同电子元件的需求。