宽禁带半导体是什么意思?

宽禁带半导体是禁带宽度大于2电子伏特的半导体材料。常见的有碳化硅、氮化镓和氧化镓。这类材料能承受高温、高压和高频，适合用于电动汽车、5G基站和光伏发电。相比传统硅材料，宽禁带半导体的能量损耗更低，转换效率更高。

宽禁带半导体的优势

宽禁带半导体耐高温可达200摄氏度以上，散热性能更好。它的击穿电压高，能支持更大功率的设备。手机快充、雷达系统和智能电网都依赖这种材料。未来，它还能帮助实现更高效的能源利用，减少电力浪费。