单晶硅电导率是多少?

单晶硅的电导率约为10至10西门子每米，具体数值受掺杂浓度和温度影响。纯单晶硅是半导体，电导率较低；掺杂磷或硼后，电导率可提升至10至10西门子每米。室温下，单晶硅的电导率随温度升高而降低，这与金属导体相反。太阳能电池和芯片制造中，通过控制掺杂量精确调节其电导率。

影响因素

单晶硅的电导率由掺杂类型和浓度决定。磷掺杂提供电子，形成N型半导体；硼掺杂提供空穴，形成P型半导体。温度每升高10摄氏度，本征载流子浓度翻倍，但电导率反而下降。光照下，单晶硅产生电子-空穴对，电导率临时增加。高纯度单晶硅在低温下电导率接近零，接近绝缘体状态。