半导体电阻率随温度变化怎么样的?

半导体电阻率随温度升高而降低。温度每升高10度，电阻率大约下降一半。这是因为温度升高时，半导体内的电子更容易获得能量，从束缚状态变为自由状态，导电能力增强。硅、锗等常见半导体材料都遵循这一规律。在低温环境下，半导体电阻率会显著增大，甚至接近绝缘体。

温度影响机制

半导体电阻率变化主要由载流子浓度和迁移率决定。温度升高时，本征激发产生的电子和空穴数量增加，载流子浓度上升。同时，晶格振动加剧，载流子运动受到的散射增强，迁移率下降。但载流子浓度的影响占主导地位，整体表现为电阻率降低。不同半导体材料的温度敏感度存在差异，比如砷化镓比硅变化更明显。