pn结齐纳击穿和雪崩击穿的区别?

pn结的齐纳击穿和雪崩击穿都是反向电压过高导致的击穿现象，但机理不同。齐纳击穿发生在强电场下，直接破坏共价键；雪崩击穿则是载流子碰撞电离的连锁反应。前者多见于轻掺杂的pn结，后者常见于重掺杂结构。两种击穿都可用于稳压，但温度特性和应用场景有差异。

区别

齐纳击穿：当pn结掺杂浓度很高时，耗尽层极薄，即使反向电压不高，也能产生强电场。强电场直接拉出共价键中的电子，形成电流。这种击穿电压较低，一般低于5伏，温度系数为负值，即温度升高时击穿电压下降。常见于低压稳压管，如手机充电器中的3.3伏稳压管。

雪崩击穿：在掺杂浓度较低的pn结中，耗尽层较宽，载流子在电场下加速获得高能量。这些高能载流子碰撞晶格产生新电子-空穴对，形成连锁反应，电流急剧增大。击穿电压较高，通常超过6伏，温度系数为正值，温度升高时击穿电压增大。多用于高压保护电路，如汽车电子中的12伏稳压器件。