碳化硅衬底和外延是什么意思区别?

碳化硅衬底是制造半导体器件的基础材料，提供机械支撑和导电性能。外延是在衬底上生长的一层薄晶体薄膜，用于优化器件的电学性能。两者结合使用，能提升器件的效率和稳定性。

区别

碳化硅衬底：作为器件的“地基”，碳化硅衬底是厚实的单晶片，具有高导热性和耐高温特性。它的作用是承载外延层，确保器件结构牢固。衬底的纯度和缺陷密度直接影响器件的良率，常见的厚度为几百微米，成本较高。

外延层：外延层是“功能层”，通过化学气相沉积在衬底上生长，厚度仅几微米。它的晶体结构需与衬底完美匹配，用于控制器件的电学特性，如耐压和开关速度。外延层的质量决定了器件的性能上限，生长过程需精确控制温度和气体比例。