半导体激光器有什么区别?

半导体激光器根据材料、结构和应用场景有多种区别，主要涉及波长、功率、工作温度和成本等方面。不同材料如砷化镓、氮化镓等产生的激光波长不同，适用于医疗、通信或工业加工等领域。结构上，边发射激光器和垂直腔面发射激光器的输出方向和效率各异，前者功率较高，后者更适合集成化设计。

区别

边发射激光器：激光从芯片边缘发出，功率可达数百毫瓦，适合长距离通信或高精度切割。工作温度范围较宽，散热需求大，体积相对较大。成本较低，生产技术成熟，广泛应用于光纤通信和激光打印设备。

垂直腔面发射激光器：激光从芯片表面垂直发出，功率通常在10毫瓦以下，但光束质量好，适合短距离光通信或传感器集成。工作温度较敏感，需精确温控，体积小巧，便于批量生产。成本较高，多用于3D传感和光互连系统。