应变效应与压阻效应二者有何不同?

应变效应和压阻效应都是材料受力时的电学响应现象，但机制不同。应变效应是材料形变导致电阻变化，压阻效应是应力改变材料内部载流子迁移率从而改变电阻。前者依赖几何尺寸变化，后者源于半导体能带结构变化。

区别

应变效应：当材料受到拉伸或压缩时，长度和横截面积发生变化，电阻随之改变。金属应变片利用这一原理，形变越大电阻变化越明显。这种效应在工程中广泛用于测量微小位移，响应速度快但灵敏度有限，温度影响较大需要补偿。

压阻效应：半导体材料在压力作用下，能带结构发生变化导致载流子浓度或迁移率改变，引起电阻显著变化。硅压阻传感器利用这一特性，灵敏度比应变效应高10倍以上，适合精确测量压力，但温度稳定性较差，需要特殊电路校准。