氮化镓单晶衬底和其他衬底区别是什么?

氮化镓单晶衬底是制造高功率、高频率电子器件的关键材料，具有优异的导电性和稳定性。其他衬底如硅或蓝宝石则成本较低，应用更广泛，但在性能上不如氮化镓单晶衬底。

区别

氮化镓单晶衬底：由单一晶体结构组成，电子迁移率高达2000平方厘米每伏秒，适合5G基站和雷达系统。耐高温可达600摄氏度，寿命超过10年。缺点是价格昂贵，一块2英寸衬底售价约5000元，生产难度大。

其他衬底：包括硅和碳化硅，价格便宜，4英寸硅衬底仅需几百元。电子性能较弱，硅的迁移率仅1400平方厘米每伏秒，但技术成熟，适合普通电子元件。耐温能力较差，硅衬底在300摄氏度以上易失效，使用寿命约5年。