湿法刻蚀和干法刻蚀的区别?

湿法刻蚀使用化学液体去除材料，干法刻蚀用等离子体或气体进行加工。湿法刻蚀成本低、设备简单，适合大面积加工；干法刻蚀精度高、各向异性强，适合精细图案。湿法刻蚀可能损伤下层材料，干法刻蚀成本较高但可控性好。

区别

湿法刻蚀：将芯片浸入化学溶液中，通过化学反应溶解不需要的材料。这种方法操作简单，成本较低，适合批量生产。但湿法刻蚀是各向同性的，会向侧面腐蚀，导致线条边缘不整齐。同时，化学液体可能渗透到芯片内部，影响器件性能。刻蚀速度受温度和浓度影响，均匀性较难控制。

干法刻蚀：在真空腔体中利用等离子体或活性气体进行刻蚀。这种方法精度高，可以精确控制刻蚀深度和形状，适合纳米级加工。干法刻蚀各向异性强，垂直向下刻蚀，不会损伤侧壁。但设备昂贵，维护复杂，刻蚀速率较慢。高能等离子体可能对材料造成损伤，需要精确控制参数。