n型硅半导体和p型硅半导体什么区别?

n型硅半导体和p型硅半导体的主要区别在于掺杂元素和导电载流子类型。n型硅掺入五价元素（如磷），多余电子形成自由电子导电；p型硅掺入三价元素（如硼），空穴作为主要载流子导电。两者结合可形成PN结，是电子器件的基础结构。

区别

n型硅半导体：由硅晶体掺入磷、砷等五价元素制成，每个杂质原子提供一个自由电子导电。电子数量远多于空穴，导电以电子为主。电阻率较低，适合制作晶体管的源极或漏极。常见应用包括整流二极管的阴极和集成电路的N沟道场效应管。

p型硅半导体：由硅晶体掺入硼、铝等三价元素制成，每个杂质原子产生一个空穴导电。空穴数量多于电子，导电以空穴为主。电阻率中等，适合制作晶体管的发射极或基极。常见应用包括太阳能电池的P层和集成电路的P沟道场效应管。