多数载流子和少数载流子的区别?

多数载流子是在半导体中数量较多的载流子，而少数载流子是数量较少的载流子。例如，在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子；在P型半导体中则相反。

区别

多数载流子：由掺杂决定，数量远超少数载流子，主导半导体导电性能。比如N型硅中掺杂磷后，自由电子浓度可达每立方厘米10^16个，而空穴浓度仅10^4个。温度变化对其影响较小，是电流的主要贡献者。

少数载流子：由本征激发产生，数量极少，对导电作用微弱。如P型硅中电子浓度很低，仅10^6个每立方厘米。温度升高时，其数量会显著增加，尤其在光电器件中发挥重要作用，如太阳能电池利用少数载流子产生光电流。