碳化硅晶圆和硅晶圆的区别?

碳化硅晶圆和硅晶圆都是半导体材料，但性能和应用不同。碳化硅晶圆耐高温、耐高压，适合高频电力设备；硅晶圆成本低，技术成熟，用于普通芯片。

区别

碳化硅晶圆：硬度高，耐温可达1600度以上，导电性能好，适合电动车、5G基站等高温高压场景。生产难度大，价格是硅晶圆的5倍以上。

硅晶圆：硬度较低，耐温约300度，导电性适中，主要用于电脑、手机等日常电子设备。技术成熟，全球年产量超过100万片，成本更低。