光刻机的种类和区别是什么?

光刻机主要分为接触式光刻机、接近式光刻机和投影式光刻机三类。接触式光刻机直接将掩模版与晶圆接触，分辨率高但易损伤晶圆；接近式光刻机保持微小间隙，减少损伤但分辨率较低；投影式光刻机通过光学系统投影，兼顾分辨率和产能，是现代芯片制造的主流设备。

区别

接触式光刻机：掩模版与晶圆直接接触，使用紫外光曝光，分辨率可达1微米以下，适合小尺寸晶圆加工。缺点是容易造成掩模版和晶圆磨损，生产效率低，每台每小时处理约10片晶圆。主要用于实验室或低产量的研发场景。

投影式光刻机：通过透镜系统将掩模版图案投影到晶圆上，分辨率从0.35微米到7纳米不等，支持大尺寸晶圆（300毫米）。每小时可处理100片以上晶圆，适合大规模量产。分为步进式和扫描式，后者效率更高，成本也更高，占全球高端光刻机市场的90%份额。