硅外延和碳化硅外延的区别?

硅外延和碳化硅外延都是半导体制造中的关键工艺，但材料和应用场景不同。硅外延以硅单晶为基底，适合传统集成电路；碳化硅外延以碳化硅为基底，耐高压、耐高温，多用于电力电子器件。

区别

硅外延：以硅片为基础，通过化学气相沉积生长硅单晶层。工艺成熟，成本低，适合大规模集成电路。但耐压和耐热性较差，工作温度一般不超过200摄氏度。

碳化硅外延：在碳化硅衬底上生长碳化硅单晶层。硬度高、导热好，能承受1000摄氏度以上高温和数千伏电压。常用于新能源汽车、光伏逆变器等高功率场景，但制造成本较高。