igbt与可控硅有什么区别呢?

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和可控硅都是电力电子器件，但应用场景不同。IGBT适合高频开关控制，如变频器、逆变器；可控硅主要用于大电流开关，如调光器、电机调速。IGBT开关速度快，损耗小；可控硅结构简单，耐压高。

区别

IGBT：由MOSFET和双极型晶体管组成，输入阻抗高，驱动简单，开关频率可达20kHz以上，适合中小功率设备，如新能源汽车、光伏逆变器。价格较高，但效率提升明显，体积小，散热需求低。

可控硅：属于半控型器件，只能控制导通，关断需外部条件，耐压可达几千伏，电流承载能力强，常用于工业调压、大功率电源。结构简单，成本低，但开关频率低（通常低于400Hz），响应慢，发热量大。