应变效应和压阻效应二者有何不同?

应变效应和压阻效应都是材料受力后电学性质变化的物理现象，但原理和应用不同。应变效应是材料形变导致电阻变化，压阻效应是应力改变半导体电阻率。前者多用于金属应变片，后者常见于硅压力传感器。

区别

应变效应：指材料在机械力作用下发生形变，电阻随之改变的现象。金属导体拉伸时变细变长，电阻增大；压缩时变粗变短，电阻减小。这种效应广泛应用于桥梁、建筑的结构健康监测，通过贴片传感器实时捕捉微小形变。应变片输出电压与形变量成正比，测量精度可达微米级。

压阻效应：指半导体材料受压时电阻率发生显著变化的现象。硅晶体在压力作用下，能带结构改变，载流子迁移率变化，导致电阻非线性变化。压阻传感器灵敏度高，比金属应变片大50倍以上，常用于汽车胎压监测、医疗血压计等精密场景。其温度漂移较大，需配套温度补偿电路。