扩散电容和势垒电容的区别?

扩散电容是由半导体中载流子浓度变化引起的电容效应，主要出现在PN结的正向偏置区域。势垒电容则是由于PN结空间电荷区宽度变化形成的电容，多存在于反向偏置状态。前者反映载流子存储效应，后者体现势垒区的充放电特性。

区别

扩散电容：由多数载流子扩散形成，正向偏压时明显。载流子注入导致电荷积累，电容大小与正向电流成正比，数值较大。常见于二极管导通状态，影响开关速度。电容值随温度升高而增加，因为载流子迁移率变化。

势垒电容：由耗尽层电荷变化产生，反向偏压时显著。电压改变导致耗尽层宽窄变化，类似平行板电容。电容值与反向电压平方根成反比，数值较小。用于变容二极管调谐电路，稳定性高，受温度影响小。