多晶硅的p区和n区有什么区别?

多晶硅的p区和n区区别在于导电类型不同。p区掺入硼等三价元素，空穴多，靠空穴导电；n区掺入磷等五价元素，自由电子多，靠电子导电。两者结合形成pn结，是太阳能电池和芯片的基础结构。

区别

p区：掺入硼元素后，多晶硅中产生大量空穴，导电依赖空穴移动。p区带正电，电子浓度低，空穴浓度高，常作为电池的正面接触层，吸收光子产生空穴电流。

n区：掺入磷元素后，多晶硅中自由电子增多，导电依赖电子移动。n区带负电，空穴浓度低，电子浓度高，通常作为电池的背面层，帮助电子流向外部电路。