载流子浓度和什么有关?

载流子浓度主要与材料的类型、温度、掺杂浓度以及光照条件有关。半导体材料中，载流子浓度可通过掺杂控制，比如增加施主或受主杂质能显著提升电子或空穴数量。温度升高时，载流子热运动加剧，浓度也会增加。光照则能激发更多电子-空穴对，提升载流子密度。

区别

材料类型：不同材料如硅、锗或化合物半导体，其本征载流子浓度差异大。硅的禁带宽度较大，室温下本征浓度较低，而锗因禁带窄，载流子浓度更高。掺杂浓度直接影响载流子数量，比如掺磷的N型硅中，电子浓度远超空穴浓度。

温度变化：低温时，载流子浓度较低，因为热能不足激发电子。室温下，浓度适中。高温时，热激发增强，本征载流子浓度大幅上升，甚至超过掺杂影响。比如硅在300K时浓度约10^10/cm³，升温至500K时可达10^15/cm³。