igbt和场效应管有什么区别?

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和场效应管（MOSFET）都是常用的功率半导体器件，但结构和工作原理不同。IGBT结合了MOSFET的输入特性和双极型晶体管的输出特性，适合高压大电流场景；场效应管依赖电压控制电流，开关速度快，但耐压能力较低。

区别

IGBT：由栅极、发射极和集电极构成，输入阻抗高，驱动简单，导通压降低，适合中高压应用，如变频器、电动汽车驱动系统。其开关速度较慢，关断时存在拖尾电流，损耗较高，成本也高于场效应管。

场效应管：分为N沟道和P沟道，仅靠栅极电压控制电流，开关速度快，无拖尾电流，适合高频场景，如开关电源、LED驱动。但导通电阻较大，耐压能力有限，在大功率应用中需并联多个器件。