直接半导体和间接半导体区别?

直接半导体和间接半导体的主要区别在于电子跃迁时是否需要改变动量。直接半导体中，电子从价带跃迁到导带时不需要声子参与，光子能量可直接转化为电子能量；间接半导体则需要声子辅助，电子跃迁时需同时满足能量和动量守恒，导致发光效率较低。

区别

直接半导体：电子跃迁发生在同一动量位置，光子能量与电子能量差完全匹配，发光效率高。常见材料如砷化镓，常用于LED和激光器，因为电子可直接释放光子，能量转换快，适合高效光电器件。

间接半导体：电子跃迁需跨越不同动量区域，必须借助声子才能完成能量转换。光子能量无法完全匹配电子跃迁所需能量，导致发光效率低。典型材料如硅，多用于集成电路，因其电子迁移率高，但发光性能差，不适合光电器件应用。