电子和空穴的迁移率有什么区别?

电子和空穴的迁移率区别在于载流子在电场中的移动速度。电子带负电，移动时受电场直接加速，迁移率较高；空穴是电子缺失形成的等效正电荷，移动依赖相邻电子的填补，速度较慢。

区别

电子：电子质量小，在晶格中自由移动，受电场作用力强，迁移率可达数千平方厘米每伏秒。半导体材料中，电子主导电流传输，效率高，速度快。

空穴：空穴实际是电子的反向运动，等效正电荷移动缓慢。其迁移率约为电子的1/3到1/2，因为需要电子依次填补空位，过程更复杂。在硅中，空穴迁移率约450平方厘米每伏秒，远低于电子的1350平方厘米每伏秒。