碳化硅芯片和氮化硅芯片的区别?

碳化硅芯片和氮化硅芯片都是半导体材料，但性能和应用场景不同。碳化硅芯片耐高温、耐高压，适合电力电子设备；氮化硅芯片绝缘性好，常用于高温环境下的结构部件。

区别

碳化硅芯片：硬度高，耐温可达1600摄氏度，导电性强，适合制造高频功率器件，如电动汽车逆变器、光伏逆变器。能量损耗小，散热快，能承受大电流冲击，但成本较高，加工难度大。

氮化硅芯片：绝缘性能优异，耐温可达1400摄氏度，抗热震性强，常用于高温传感器、发动机部件。机械强度高，不易破裂，但导电性差，不适合功率传输，多用于结构支撑或绝缘层。