直接带隙和间接带隙有什么不同?

直接带隙和间接带隙是半导体材料的两种带隙类型，区别在于电子从价带跃迁到导带时动量是否变化。直接带隙材料无需改变动量，光效高；间接带隙材料需要声子辅助，光效低。

区别

直接带隙：电子跃迁时动量不变，能量直接转换，发光效率高。材料如砷化镓，常用于LED和激光器，响应速度快，能量损耗小。适合光电器件，制作工艺简单，成本较低，应用广泛。

间接带隙：电子跃迁需改变动量，需借助声子，发光效率低。材料如硅，主要用于晶体管和集成电路，热稳定性好，载流子迁移率高。适合电子器件，但光电转换效率差，需更多能量激发。