中国光刻机与国外有多大差距呢?

中国光刻机与国外差距较大，尤其在高端领域。国外已能生产5纳米以下芯片的光刻机，中国最先进技术停留在90纳米左右。核心部件如光源、镜头等依赖进口，自主研发能力不足。国内企业正加速追赶，但技术积累和产业链成熟度仍需时间。

对比

中国光刻机：起步晚，技术积累不足。目前主要生产中低端光刻机，用于成熟制程芯片。研发投入逐年增加，但核心部件如光源系统、精密镜头仍依赖国外供应商。国内产业链不完善，配套企业较少，整体效率较低。量产规模小，市场竞争力有限。

国外光刻机：技术领先，垄断高端市场。荷兰ASML的EUV光刻机能实现5纳米以下制程，精度极高。拥有完整的产业链，核心部件自给自足。研发投入巨大，专利数量多，技术壁垒高。量产能力强，全球市场份额超过90%。