刻蚀机和光刻机哪个更复杂?

刻蚀机比光刻机更复杂。刻蚀机需要处理多种材料、不同刻蚀深度和精度控制，涉及化学反应和等离子体物理，技术要求更高。光刻机主要聚焦在图形转移，虽然精度要求高，但工艺相对单一。

对比

刻蚀机：刻蚀机需要同时控制温度、压力、气体流量等多个参数，还要适应不同材料的刻蚀特性。一台刻蚀机可能涉及几十种化学反应，误差控制要达到纳米级，维护和调试难度极大。生产过程中，刻蚀不均匀或残留物都会导致芯片报废，技术门槛非常高。

光刻机：光刻机核心是光源和透镜系统的精度，比如EUV光刻机需要极紫外光源，但工艺流程固定，主要步骤是涂胶、曝光、显影。虽然光刻机精度要求苛刻，但变量较少，技术集中在光学领域，整体复杂度低于刻蚀机。