台积电和三星的工艺差距有多大?

台积电和三星的工艺差距主要体现在晶体管密度、性能和量产时间上。台积电的3纳米工艺已大规模量产，晶体管密度更高，功耗控制更优。三星虽然也推出3纳米技术，但良率和稳定性稍逊。台积电的2纳米工艺研发进度更快，预计2025年量产，而三星的2纳米技术仍在追赶阶段。

对比

台积电：台积电的3纳米工艺采用GAA晶体管结构，晶体管密度比上一代提升20%，功耗降低30%。芯片性能更强，适合高端手机和电脑。2022年已量产，苹果、英伟达等大客户已采用。2纳米工艺预计2025年推出，继续缩小与竞争对手的差距。

三星：三星的3纳米工艺同样使用GAA技术，但晶体管密度比台积电低10%，功耗控制稍弱。2023年才开始小规模量产，客户较少。2纳米工艺计划2026年推出，技术路线与台积电类似，但量产时间晚1年。良率问题仍需解决。