pn结正偏电容大还是反偏电容大?

pn结反偏电容比正偏电容大。反偏时，耗尽层变宽，空间电荷区电容（势垒电容）显著增大；正偏时，耗尽层变窄，电容主要由扩散电容主导，但整体数值较小。

对比

pn结正偏状态：耗尽层宽度约缩小到几微米，载流子大量注入形成扩散电容，电容值在几皮法到几十皮法范围。电压升高时，电容随电流增大而略微上升，但整体变化平缓，适合高频小信号应用。

pn结反偏状态：耗尽层宽度扩展到几十微米，空间电荷区电容成为主导，数值可达几十皮法甚至上百皮法。电压升高时，耗尽层进一步变宽，电容随电压增大而明显下降，常用于电压控制类电路。