半导体的带隙越大越好还是越小越好?

半导体带隙大小需根据应用场景选择，并非越大越好或越小越好。大带隙适合高温、高压环境，小带隙适合光电转换和高速器件。

对比

大带隙半导体：如碳化硅，耐高温可达600摄氏度以上，耐压能力强，适合电力电子设备。漏电流小，能量损耗低，但电子迁移速度较慢，不适合高频场景。制造工艺复杂，成本较高。

小带隙半导体：如硅，电子容易跃迁，导电性好，适合集成电路和太阳能电池。室温下热噪声大，漏电流较高，高温性能差。技术成熟，成本低，应用广泛。