时间:01-17人气:15作者:死在回忆里
芯片制程目前已经达到3纳米,未来可能突破到1纳米以下。台积电和三星正在研发2纳米和1纳米技术,采用新的晶体管设计。但1纳米以下面临量子隧穿效应,电子可能乱跑,导致芯片失效。科学家尝试碳纳米管或二维材料替代硅,但技术还不成熟。量产1纳米以下芯片需要克服材料和工艺难题,预计2030年后才能实现。
技术挑战
1纳米以下芯片需要更精密的光刻机,现有EUV设备不够用。原子级操控难度极大,一个原子的误差就可能让芯片报废。散热问题也更严重,电流密度过高会烧毁电路。成本是另一大障碍,研发一条新产线要数百亿美元。目前实验室只能做出少量样品,距离大规模量产还有很长的路要走。
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