半导体的7大工艺流程是什么?

半导体的7大工艺流程包括晶圆制造、光刻、蚀刻、薄膜沉积、离子注入、化学机械抛光和金属化。晶圆制造是基础，将硅提纯并制成圆形薄片。光刻用紫外线将电路图案转移到晶圆上，类似拍照技术。蚀刻移除多余材料，留下需要的结构。薄膜沉积在表面添加保护层或导电层。离子注入改变材料导电性。化学机械抛光让表面平整。金属化用铜或铝连接电路。

工艺细节

光刻需要光刻胶和掩膜版，蚀刻分干法湿法两种。薄膜沉积有物理气相沉积和化学气相沉积。离子注入加速离子打入晶圆，深度由电压控制。化学机械抛光结合研磨液和机械压力。金属化后还要进行清洗和测试。每步都要在无尘车间完成，防止灰尘影响良品率。晶圆直径从6英寸发展到12英寸，未来可能更大。工艺节点从微米级进入纳米级，技术难度极高。