单晶硅填充因子ff一般为多少?

单晶硅填充因子一般在75到85之间。这个数值反映了电池的最大输出功率与理论最大功率的比值。填充因子越高，电池性能越好。实际数值受光照强度、温度和电池质量影响。优质单晶硅电池的填充因子可达80以上，而普通产品可能在75左右。实验室条件下，最高记录超过86。

填充因子的影响因素

填充因子与电池的开路电压和短路电流直接相关。温度升高会导致填充因子下降，每升高10度，数值可能降低2到5个单位。光照强度增加也能提升填充因子，但超过一定限度后效果不明显。电池的串联电阻和并联电阻也会影响这个数值，电阻越小，填充因子越高。