半导体的载流子浓度一般多大?

半导体载流子浓度随材料类型和温度变化很大。纯净硅在室温下每立方厘米约有10^10个自由电子和空穴。掺杂后浓度显著提升，比如掺磷的N型硅可达10^15到10^18个。锗的载流子浓度比硅高，而砷化镓的浓度介于两者之间。温度升高时，本征激发增强，载流子数量也会增加。

影响因素

载流子浓度受掺杂浓度影响最明显。每掺入一个磷原子，就多出一个自由电子。光照也能增加载流子，太阳能电池就是利用这个原理。温度每升高10度，硅的载流子浓度大约翻倍。高纯度单晶硅的载流子浓度最低，而多晶硅由于晶界缺陷，浓度会稍高。