pn结反向击穿电压一般多大?

pn结反向击穿电压一般在几伏到上千伏之间，具体数值取决于掺杂浓度和材料特性。硅二极管的典型值在50到1000伏，高压器件可达数千伏。稳压二极管利用齐纳击穿，电压通常在5到200伏。雪崩击穿电压更高，常见于高压整流管。实际应用中，击穿电压会随温度变化而波动。

击穿电压的影响因素

掺杂浓度越低，耗尽层越宽，击穿电压越高。温度升高时，齐纳击穿电压会下降，雪崩击穿电压则上升。二极管的制造工艺和结构设计也会显著影响击穿特性。反向漏电流过大可能导致器件提前失效，因此实际工作电压通常远低于击穿电压。