cmos制造需要哪几种薄膜材料?

CMOS制造需要多种薄膜材料，包括硅、二氧化硅、氮化硅和多晶硅。硅是基底材料，二氧化硅用作绝缘层和栅介质，氮化硅提供阻挡层，多晶硅用于栅电极和互连线。这些材料通过沉积和蚀刻工艺形成晶体管结构。金属铝和铜用于导电层，钨用于接触孔。高介电常数材料如氧化铪也用于先进制程。

薄膜材料的作用

硅片表面生长的二氧化硅层隔离晶体管，防止漏电。氮化硅层保护芯片免受湿气和杂质影响。多晶硅层控制电流开关，决定晶体管性能。金属铝和铜形成电路连接，降低电阻。高介电材料增强电场控制，缩小晶体管尺寸。每层材料厚度仅几纳米，需精确控制以确保芯片稳定运行。