光刻机能突破吗?

光刻机突破的关键在于光源精度和光学系统稳定性。当前最先进的EUV光刻机使用13.5纳米极紫外光，能刻制7纳米以下芯片。荷兰AS公司垄断了EUV技术，全球仅少数企业能生产。中国正在研发28纳米光刻机，预计2025年试产。日本尼康和佳能也在推进DUV技术改良，试图缩小与EUV的差距。突破需要材料科学和精密制造的协同进步。

光刻机的技术瓶颈

光刻机依赖超精密镜片和激光器，德国蔡司公司供应核心镜头。一台EUV光刻机造价1.5亿美元，包含10万个零件。光刻过程中，晶圆必须保持0.01微米精度，相当于头发丝的千分之一。美国对华出口管制限制了关键零部件供应，迫使中国自主研发。量子计算和纳米压印技术可能成为替代方案，但离量产还有距离。