n型多晶半导体在氧气中缓慢冷却?

n型多晶半导体在氧气中缓慢冷却时，表面会形成氧化层。这种处理能改善器件稳定性，减少缺陷。冷却速度影响氧化层厚度，每分钟降温10摄氏度效果较好。材料内部晶粒会重新排列，电阻率可能下降。实验显示，冷却时间超过4小时时，电导率提升最明显。

氧化层的作用

氧化层能阻挡杂质进入半导体内部。缓慢冷却让原子排列更整齐，减少晶界缺陷。实际应用中，这种处理延长了器件寿命。比如太阳能电池经此处理后，转换效率提高20%。冷却时氧气压力控制在1个大气压左右效果最佳。