时间:01-19人气:23作者:坠落星河
晶体管饱和管压降一般在0.1到0.3伏特之间。具体数值取决于晶体管类型和工作电流。硅晶体管饱和压降较低,锗晶体管稍高。小信号晶体管饱和压降约0.2伏特,功率晶体管可能达到0.3伏特。温度升高时饱和压降会略微下降,但变化不大。
影响因素
晶体管饱和压降与基极电流大小有关。基极电流越大,饱和越深,压降越小。集电极电流增加时,饱和压降也会轻微上升。不同厂家生产的同型号晶体管,饱和压降可能有微小差异。电路设计时需考虑这个压降,避免影响整体性能。
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