氮化镓属于什么半导体?

氮化镓是一种第三代宽禁带半导体材料。它的禁带宽度达到3.4电子伏特，击穿场强度是传统硅的10倍。氮化镓器件能承受更高电压和温度，适合制造高频、高效的电力电子设备。手机快充、5G基站、电动汽车逆变器都广泛使用氮化镓技术。

氮化镓的优势

氮化镓器件体积小、重量轻，能量转换效率超过90%。相比硅器件，氮化镓开关速度更快，能减少能量损耗。它还能在200摄氏度以上稳定工作，可靠性极高。目前科研人员正研发氮化镓在激光器和雷达领域的应用。