pn结的内建电势是什么?

pn结的内建电势是由半导体材料内部载流子扩散形成的电势差。当p型半导体和n型半导体结合时，电子从n区向p区扩散，空穴从p区向n区扩散，导致交界处形成耗尽层。耗尽层内缺少自由载流子，产生由n区指向p区的内建电场。这个电场阻止载流子继续扩散，最终达到平衡状态，形成稳定的内建电势。室温下硅pn结的内建电势约为0.6到0.7伏特。

内建电势的作用

内建电势影响pn结的导电特性。当外加正向电压大于内建电势时，耗尽层变窄，电流容易通过；当外加反向电压时，耗尽层变宽，电流几乎为零。太阳能电池和二极管都利用这一特性工作。内建电势大小与掺杂浓度有关，掺杂越高，电势越大。温度升高时，内建电势会略微降低，大约每升高1摄氏度降低2毫伏。