光刻机中国突破了吗?

中国光刻机技术取得重要进展，28纳米工艺已实现量产。上海微电子、中芯国际等企业突破多项核心设备瓶颈。国产光刻机在光源系统、物镜镜头等领域达到国际先进水平。2023年，首台国产深紫外光刻机交付使用，标志着自主产业链初步形成。目前正全力研发14纳米以下先进制程，目标2025年实现技术自主可控。

技术突破难点

光刻机涉及10万个精密零件，单台造价超1亿美元。荷兰ASML垄断高端市场，中国需攻克光学镜头、极紫外光源等七大技术难关。国产光刻机在稳定性、良品率上仍存差距，需大量实验验证。国内已建立产学研联合体，每年投入数百亿元研发资金。未来三年将是技术攻坚关键期，直接影响芯片产业安全。